圣彼得堡国立大学的科学家们解释了新一代光电器件材料形成的机制

InGaN合金（氮化铟镓）是一种由镓和氮化铟混合物组成的半导体材料。白色和蓝色Led是在这种合金的基础上制造的。然而，它对于制造气体传感器、太阳能电池、电池的合成氢、红色、绿色和白色的Led等等都有使用前景。

该研究结果发表在ACS Applied Nano Materials上 

目前，该材料并没有得到广泛使用，因为在广泛的组合物中的InGaN层由于“溶解度间隙”现象而难以合成。这种现象的特征在于InGaN是不稳定的，并且衰变成单独的相InN和GaN。而且由于这些材料之间的永久晶格差异，很难与硅平台集成。 

以复杂的形式直接在硅表面以丝状纳米晶体、纳米色等形式合成一种材料，便可以解决这一问题。合金合成的这种变体也显著扩大了使用这种材料制造器件的潜力。然而，正如物理学家指出的那样，为了最完整地使用这种选择，有必要了解这些复杂的三维纳米结构的形成机制，正是来自圣彼得堡国立大学以及若·伊·阿尔费罗夫学术大学、俄罗斯科学院机器科学问题研究所和高等经济学院的物理学家们可以确定它们。

我们第一次能够通过科学和系统的方法来描述基于InGaN材料的三维（非平面）结构的复杂形成机制。基于这些化合物，已经在圣彼得堡国立大学实验室创建了Led、气体传感器、水分解细胞等原型。

圣彼得堡国立大学量子信息学和电信新半导体材料实验室负责人负责人罗季昂·列兹尼克

“了解这些复杂的三维纳米结构的形成机制可以为新一代非平面光电器件的发展做出贡献”，圣彼得堡国立大学量子信息学和电信新半导体材料实验室负责人负责人罗季昂·列兹尼克说道。

据他介绍，这种化合物是通过分子束外延获得的，这种方法允许在超高真空条件下生长具有指定性质的异质结构。该方法使得我们能够创建新一代的高效设备。 

该研究使用了圣彼得堡国立大学量子信息学和电信新半导体材料实验室的先进科学设备，并且与来自高等经济学院、圣彼得堡国立若·伊·阿尔费罗夫学术大学俄罗斯科学院机器科学问题研究所的学者们共同完成。

圣彼得堡国立大学量子信息学和电信新半导体材料实验室的工作人员们正在研究微电子的新材料：单光子源、高效Led、太阳能电池、激光器、纳米致热器，并将它们与硅平台集成。所有这些成就都是改进微电子量子技术工作的延续，这项工作由两位诺贝尔奖获得者奠定：圣彼得堡国立大学毕业生阿列克谢·埃基莫夫，以及圣彼得堡国立学术大学校长若列斯·阿尔费罗夫。罗季昂·列兹尼克在圣彼得堡国立大学播客“海因里希·太赫兹”中详细地讲述了他的工作。

在使用研究设施合成氮化物化合物的情况下，通过分子束外延的合成过程相当长，但输出是可以切割成数百个小部分的大板，每个小块都是设备的基础。

“我们对纳米结构的合成及其在不同生长阶段的性质研究进行了系统的工作。 换句话说，我们合成了一系列样品，其中每个样品的生长在纳米结构形成的某个阶段停止。然后使用独特的设备检查每个样品的物理性质。研究结果使我们能够了解复杂形状的InGaN纳米结构的形成机制，以及确定生长过程理论描述的参数，这也是工作的一部分”，圣彼得堡国立大学量子信息学和电信新半导体材料实验室的初级研究员、该论文第一作者弗拉基斯拉夫·格里德琴说道。

周年校庆的活动计划在圣彼得堡国立大学300周年校庆活动组委会会议上得到批准，该会议由副总理德米特里·车尔尼申科举主持。校庆活动中还包括以圣彼得堡国立大学为小行星命名以示纪念，发行有特殊设计的银行卡，为俄航的飞机作特殊标志等等。为了纪念圣彼得堡国立大学建校300周年，邮政发行了一枚邮票，上面描绘了十二学院建筑和谢·谢·乌瓦洛夫伯爵的纪念雕像。

根据圣彼得堡市市长亚历山大·贝格洛夫的决定，2024年在北方首都被宣布为圣彼得堡大学年。在我校成立300周年的那一天，海神柱子上点燃了火炬。宫殿桥装饰着我校的旗帜，公共交通上也有它的标识。2024年5月，我校首次参加了城市日的庆祝活动，并成为了这一活动单独的庆祝场所。除此之外，我校还推出了关于校庆的网站，上面有关于杰出校友、科学成就以及校庆细节的信息。